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碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究
加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2024-04-09
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    • 碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究

    • Proton irradiation damage in silicon carbide junction barrier Schottky diode

    • 核技术   2023年46卷第2期 页码：20203
    • 作者机构：

      1.中国原子能科学研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 北京 102413

      2.兰州大学 核科学与技术学院 兰州 730000

    • 作者简介：

      刘翠翠，女，1993年出生，2020年于中国科学院半导体研究所获博士学位，研究领域为半导体器件辐射效应及可靠性分析

      郭刚，E-mail：ggg@ciae.ac.cn

    • 基金信息：
      中核集团"青年英才"科研项目(11FY212306000801)

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203    

      中图分类号： TL99

    • 纸质出版日期：2023-02-15，

      收稿日期：2022-06-25，

      修回日期：2022-10-18，

    扫 描 看 全 文

  • 刘翠翠,李治明,韩金华等.碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究[J].核技术,2023,46(02):020203. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203.

    LIU Cuicui,LI Zhiming,HAN Jinhua,et al.Proton irradiation damage in silicon carbide junction barrier Schottky diode[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2023,46(02):020203. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203.

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